㈠ 影響半導體表面電勢的因素有哪些
透表面電子束激勵電勢檢測儀(簡稱透表儀)做了測試分析, 從而利用透表面電子束激勵電勢法到掃描電子顯微鏡中觀測研究覆蓋在表面絕緣層下的半導體及其集電電路的缺陷和微結構.該文在上述工作的基礎上,進一步利用 一個簡化模型,分穩態和瞬態兩中情況下,推導出在掃描電子顯微鏡中,透表面電子吵激勵電勢U與半導體表面復合速度S所存在的關系,然後在理論基礎上,根據 最小二乘法原理,利用計算機得到計算值或實驗數據的指數曲線擬合結果,從而通過漸近法找到半導體材
㈡ 半導體缺陷 有哪些表徵方法謝謝啦
GaN LED自1995年日本中村先生成功研製以來，近幾年其技術以驚人的速度迅猛發展。在可靠性方面，雖然在上、中、下游研發和生產等各個環節中備受重視，但是外延材料對器件可靠性和性能的影響研究，受上游至下游產業學科跨度大的限制，分析實驗難度較高；與其他半導體器件一樣的有些理念雖為業內人士所知曉，因缺少對應的分析實驗和規范的試驗方法，故在GaN-LED方面無明確的對應關系。本文通過試驗並分析GaN-LED外延片晶體質量對其LED晶元光電參數分布及器件性能的影響，提出較系統的實驗方法，驗證了LED外延晶體缺陷對器件可靠性的基礎作用，為外延材料結構與生長工藝的優化和改善提供依據。
1 試驗概述
試驗晶片為採用金屬有機化學氣相淀積（MOCVD）方法，在2英寸（50mm）藍寶石襯底上生長的GaN基LED外延結構[1-2]。外延生長完成後，首先通過高倍金相顯微鏡檢查外延層表面形貌，再用Bede-Q2000雙晶X光衍射（DMXRD）儀對選定外延片晶格結構特性進行分析測試。然後採用常規的GaN-LED晶元工藝，將外延片製成330μm×300μm的LED晶元，其典型的外延材料和晶元結構如圖1。採用LED-617型光電參數測試儀，進行晶元光電參數測試。用環氧樹脂將管芯封裝成蘑菇狀Φ5mm的LED單燈器件供可靠性試驗。LED器件參數採用SPC-4000LED光電參數測試儀測量，ESD試驗則採用ETS910靜電模擬發生器考核器件抗靜電能力，而樣品電老化試驗則在自己研製的恆流老化儀上進行。
2 外延與晶元檢測
在外延片表面外觀檢查中，選取較為典型的外觀作為樣片進行跟蹤對比分析：外延片樣品（Ep1）表面存在明顯缺陷（圖2），同時在（Ep1）這一爐次中和其他正常爐次中各選取一片表面無明顯缺陷樣品（Ep2和Ep3），以便跟蹤對比分析。
2．1 X射線雙晶衍射（XRD）分析
對於外延材料質量的評估，除檢查表觀特徵外，可用X射線雙晶衍射方法、光致發光譜（PL）、霍爾效應測試等對外延片晶體質量進行檢測。其中X射線雙晶衍射方法具有獨特的優點，即可以無損傷、准確、制樣簡單地進行材料檢測，可精確地確定晶格結構參數，尤其是晶格應變，特別適合測量外延晶片的結構特性。因此，本文選擇了缺陷附近和遠離缺陷兩類區域，通過測量其雙晶回擺曲線，以了解外延層晶格常數的微小差異、晶格扭曲、微小應變、缺陷附近的應力場情況以及晶片的彈性或范性彎曲等特徵[3]。圖3為Ep1-1缺陷附近的回擺曲線。其中主峰為GaN外延層的（0002）衍射峰，其左右兩側InGaN多量子阱的衍射峰依然清晰，可見雙晶回擺曲線是缺陷附近晶格結構參數的整體效果。
詳細比較其他區域和其他晶片的雙晶回擺曲線，容易觀察到GaN（0002）衍射主峰半峰寬的差異，測試結果見表1。缺陷附近半峰寬明顯大於遠離缺陷區域和正常晶片，晶格失配較正常嚴重，表明缺陷不隻影響觀察到如圖2所示的1mm大小區域，它將導致其附近區域晶格的畸變。
2．2 晶元光參數分布圖
將外延樣片按常規的GaN-LED晶元工藝，同批生產製成330μm×300μm的晶元管芯，採用LED-617型光電參數測試儀進行光電參數測試，輸出相應參數分布圖。其中Ep2、Ep3對應的電致發光（EL）分布未見異常，而樣片Ep1的（EL）分布如圖4所示。從圖4（a）清晰顯示，發光強度隨離開樣片中心區域而減弱，多數不發光區域位於樣片邊沿；最為顯著的不發光區域與樣片製成管芯前缺陷區域一致，如圖中所標，不發光區域尺度明顯大於外延層缺陷的表觀尺度，可見外延片中的缺陷將直接導致周邊區域管芯的失效。而其他區域管芯波長分布較均勻，如圖4（b）所示。由於發光波長取決於外延層中多量子阱寬度和勢壘的高度，管芯波長分布的均勻性反應了外延工藝過程的精確性。綜合上述兩方面的結果，可以認為，外延層的缺陷起始於襯底，如果外延過程未能得到抑制，它造成缺陷及附近外延層所製成的LED晶元喪失發光特性；此外區域雖然失配嚴重，但晶元光電參數未見異常。
3 可靠性試驗結果的驗證與分析
按照設定的試驗分析比較方案，分別從三片對應外延片中抽取合格晶元樣品，進行可靠性分析試驗。晶元樣品組Cp1-1抽自Ep1-1外觀缺陷片缺陷附近區域的參數正常晶元；樣品組Cp1-2分別抽自Ep1-2外觀缺陷片遠離缺陷區域的上下左右四個區域；樣品組Cp2和Cp3分別抽自Ep2和Ep3的上下左右四個區域。同時封裝成器件後，進行可靠性試驗，其中一組進行抗靜電能力試驗，兩組做電老化加速壽命試驗。
3．1 對抗靜電能力試驗的影響[4]
靜電放電（ESD）容易引起GaN基發光二極體pn結的擊穿，造成器件失效，因此抗靜電能力的高低直接體現LED器件可靠性。採用晶體管圖示儀作為試驗前後的電性能參數測試，ETS910靜電模擬發生器對待測樣品進行放電，條件為標准人體模型，正反向連續放電3次，間隙為1s，測試結果（表2）表明，當靜電電壓較低時，所有樣品的抗靜電能力未見差別，但隨著電壓的上升，差別明顯加大。取自Ep1-1外觀缺陷片缺陷附近區域的樣品Cp1-1組的抗靜電能力最差，而其他三組差別不明顯。
在外延材料結構中，InGaN有源層的勢阱、勢壘的寬度窄，器件ESD失效機理相對復雜[5]，試驗結果統計顯示，晶體質量較差、失配嚴重所對應的器件被靜電擊穿而失效的概率較其他器件要大得多。可見當器件受到靜電沖擊時，外延結構晶體中的缺陷及其附近晶格畸變嚴重和位錯密度高的薄弱位置將容易被擊穿。
3．2 電老化試驗[6]
發光二極體的退化主要包括管芯和環氧樹脂等緩慢退化。在本文的試驗中，環氧樹脂退化的影響將盡可能降低。由於GaN基LED可靠性水平的不斷提高，其超長的工作壽命，已不可能通過正常應力條件下的壽命試驗來驗證，故採用兩種加速條件進行老化試驗：①採用高溫恆流的高恆定熱電應力加速老化試驗，試驗條件為正向電流40mA，環境溫度60℃，時間96h，其試驗結果見表3；②採用高恆定電流應力加速老化試驗，試驗條件為正向電流30mA，環境溫度25℃，時間1008h，結果見表4。光通量退化曲線如圖5所示。
試驗結果表明，四組樣品光輸出退化趨勢基本相似，體現樣品器件的電老化總體綜合情況，其之間的差異是由晶元造成的。無論是高溫恆流加速老化或者是高恆定電流老化試驗，取自Ep1-1外觀缺陷片缺陷附近區域的樣品Cp1-1組的光衰都最大，因所有樣品的封裝條件一樣，故器件光輸出退化速率的差別應為管芯所造成。由於缺陷對載流子具有較強的俘獲作用，在有源層中形成無輻射復合中心，使光效降低，而注入載流子的無輻射復合又使能量轉化為晶格振動，導致缺陷和位錯等造成載流子泄漏和非輻射復合中心的增多，使得器件內量子效率下降速率加快[7]。
㈢ 半導體 怎樣減少界面缺陷 鈍化
鈍化: 1.在半導體表面上生成一層能促進電性能穩定的氧化層,通常將晶體管表面與周圍電的和化學的條件相隔離,以減少反向漏電流,提高擊穿電壓,增加功耗的定額 2.金屬經強氧化劑或電化學方法氧化處理,使呈鈍狀的過程 3.催化劑、血清等活性的破壞。 有一種蛋白質（酶）能夠滅火血清活性（部分）稱為血清滅活酶或者鈍化酶，將這種物質按一定比例加入血清就可以起到鈍化作用。另外鈍化的方式也有別的，比如溫度，低溫也可以達到鈍化效果（-70攝氏度）等。總之目的都是滅火活性。 提點自己的看法： 1 所謂血清鈍化是指血清的穩定化處理，經相應鈍化處理後的血清中的某一類物質相對穩定。 2 血清鈍化經常用於某些特種蛋白的分析前處理，此時向血清中添加蛋白質水解酶抑制劑（如抑肽酶），從而使血清中待測的特種蛋白不被相應的酶水解。
㈣ 半導體製造業該如何引進六西格瑪怎麼運用請具體回答謝謝~
一、六西格瑪管理的DMAIC流程
對產品缺陷的改進項目，對DMAIC過程改進模式的每一步都進行了具體深入的研究和說明。通過實例充分地驗證了DMAIC在實踐應用中的可行性和有效性，從而樹立起六西格瑪管理在製程式控制制和改進中的威信，同時也為今後的製程改進項目提供了寶貴經驗，使六西格瑪管理方法能夠被更廣泛地推廣到其他製造領域中去。
二、DMAIC對超微間距產品第一焊點不良率改進的應用
1、界定階段
隨著晶元電路的集成度越來越高，對於半導體封裝而言，以前一顆晶元內部只需要焊接十幾條線，而現在需要焊接幾百條線在同一體積的晶元內，這就意味著單顆焊線面積和焊點間距越來越小，從傳統間距80微米的產品到微間距69微米的產品再到如今超微間距47微米的產品。然而任何一顆金線的焊接不良，都將導致整顆晶元的報廢。在這種情況下，對於超微間距的產品，第一點焊接質量的要求也就更加有挑戰性在解決問題之前，按照DMAIC的流程，首先需要組建一支專業的團隊來實施改進項目。
2、測量階段
首先對測量系統的穩定性進行了分析接下來繼續對測量系統的線性和偏倚進行測量，方法與穩定性測量類似。分析結果：偏倚的P值為0.301，即無法拒絕偏倚為0的原假設，測量系統無需修正。
最後對測量系統的重復性和再現性進行了測量分析，分析結果：系統Gage R& R值為1.13%，遠小於10% ，分組數NDC為124，遠大於5，總體來判斷此測量系統是完全符合要求的。
3、分析階段
①第一焊點不良數據及潛在原因分析經過對測量系統的穩定性、線性和偏倚以及重復性和再現性的分析，可知測量系統可用，數據真實可靠。
②焊接強度不足的原因分析。利用因果圖對第一焊點強度不足的原因進行分析，結合改進方向的可行性，最終決定將「焊針尺寸不合理」和「焊線參數不優化」兩項作為將來改進的主要方向。
4、改進階段
①焊針尺寸的改進
在分析階段確定了此次缺陷改進的重點之後，首先進行了對焊針的尺寸的改進，並通過方差分析進行對比，合理選擇了焊針尺寸。
②焊針參數的改進
為了能夠更加全面地評估所有關鍵參數因子，小組設計了一個部分因子實驗設計，用於篩選對第一焊點有重要影響的參數，共列出了4個對於第一焊點質量較為相關的因子：USG（超聲波），Force（力），C/V（下降速度）,Time（焊線時間），將每組試驗取32個BallShear（焊線強度）的均值作為響應變數。每個因子取二水平，並且安排3組中心點用來評估試驗誤差。
5、控制階段
焊針尺寸和參數方面的改進之後，經過收集數據階段，控制線也進行了更新。
使用DMAIC的分析方法對半導體製造業中的超微間距產品系列第一焊點不良問題進行深入的研究，逐一地找出問題的根源之所在，並針對問題的根源進行改進和控制。這進一步證實了六西格瑪管理的有效性和權威性，對於那些剛剛起步或將要六西格瑪管理的企業來說，六西格瑪管理無疑將會成為企業變革的助推器。當然，六西格瑪的發展需要企業領導的大力支持，需要各部門的相互合作，需要團隊的力量，需要專業的人才，需要企業每一個人的努力。當六西格瑪融入企業文化中的時候，企業將迎來質的提高。
㈤ 半導體器件常用的模擬模擬軟體有什麼 有comsol，還有哪些 以及它們的優缺點或互補。
樓主的提問，就有點帶偏別人的感覺，或者，你已經被別人帶偏了。
首先，半導體是一門非常專業的學科，半導體器件模擬肯定需要專業的模擬軟體，而通用CAE類的軟體是無法解決大多數技術細節問題的，comsol， ansys，abaqus,就是通用CAE軟體，據我了解前者在低頻電磁，電化學，這一塊還可以；中者，包含了很多軟體，體系龐大卻沒好好消化，對這個了解的少，不發表意見；後者，材料，結構、岩土用的多；
其次，半導體器件模擬，這行業里站在高處的大牛，還是用TCAD類的軟體較多，可以了解下國內主要做半導體的單位，高校、研究所、企業，基本上都是用這些軟體，Synopsys的算一個，Crosslight算一個，NEXTNANO算一個，，，，，等等，其實很簡單，你把這些軟體放在網上一搜別人做的成果就知道哪些軟體用的多，出的成果多；
不過，像Synopsys這類自己就做半導體的這類廠家，考慮到知識產權和保密問題，有一定的知識壁壘，所以這類的軟體傻貴傻貴。NEXTNANO算是比較學術的一個，很久之前是開源的，現在藉助他們的學校和研究所，正在走商業化，畢竟要存活嘛；
如果要學習TCAD軟體也不容易啊，運氣好的話，可以碰到技術比較過硬，而且還靠譜的廠家或者工程師，還會多幫忙指導指導；如果碰到只顧賣產品，無技術服務，那就慘了，，，，此為後話，一定要擦亮雙眼，多做技術溝通和交流。很多技術型的公司非常樂意做技術交流的，雙方互相學習共同提高嘛。
國內自己的自主研發的半導體軟體，極少啊；國內做大型的工程計算軟體，畢竟在前期缺少了知識儲備和經驗積累，現在別人制裁，就沒轍了，哎，扯遠了........
㈥ 海力士半導體製造技術員 tech是什麼意思做什麼工作的
部門 崗位 崗位說明
工程管理
事務職 班長 管理操作工；提高設備生產效率；工程師與操作工之間溝通及命令下達
Eng'r 操作文件的提高說明；減少和解決生產中的事故與問題；改良產品質量，提高良率
工程管理 Opr Operator 操作檢查和分析的機器；提高設備的生產效率；報告生產中的事故和問題
工程技術 DIFF Eng'r 估算生產能力；確立/計算投資成本；產品選擇/產品評估/質量提高；提高質量指標及生產效率；減少/防止工程事故/工程問題
工程技術 Etch Eng'r 製造半導體工程中Process Set-up；管理裝備；提高工程質量；降低成本；提高生產率
工程技術 Photo Eng'r 生產線監控，提高產能，提高良率，編寫Scanner, Track, Overlay,CD-SEM的Job File,提高光刻工藝寬容度，解決工藝問題
Tech 管理光刻reticle和光刻膠，向裝備輸入程序recipe，解決簡單工藝問題
工程技術C&C Eng'r 對產品問題和缺陷進行分析，找到產生缺陷原因，並決定消除缺陷和改善產品質量應該採取的措施，以提高產品良率。
工程技術T/F Eng'r 製作產品說明和規格文檔；提高工程質量，最優化工程以提高產量
人事 社規管理/福利厚生 為了有效運營人力資源,制定各項制度及改善,並支援福利
人事評價/職務/晉升 員工的人事評價(業績,能力評價),實施定期晉升, 職責任命
勞務管理/獎懲/苦衷 勞資情報的收集/維護勞資雙方的平衡,監督職的任命, 獎勵/懲戒的有效運營,提高員工的工作積極性及強化員工的基本遵守
ER Manager 中方人員的人事管理總負責 (勞務管理,獎勵,懲戒,評價,出勤,工資等)
教育/評價管理 負責員工入門、技術、在職培訓及其他預言培訓，樹立每年培訓計劃及預算及進行等
自動化 Eng'r Eng'r Infra System, 軟體應用和AMHS系統的開發與性能分析
自動化 Tech Tech Infra System, 軟體應用和AMHS系統的維護
裝備技術 DIFF Tech TPM活動；提高設備的工作速度；設備安裝及重置；貫徹執行FDC以及自動化生產操作體系
Eng'r 確立/計算投資成本；設備安裝及重置；提高設備的工作速度；最大化設備的性能和效率
裝備技術 Photo Eng'r 管理並維護裝備良好狀態，管理Spare Part，PM計劃安排，編寫PM Sheet及技術規范，聯系設備製造商並參加trouble分析會議，排除裝備故障
Tech 執行周期性PM，常規裝備故障排除，更換Spare Part，記錄PM sheet
裝備技術C&C 技能職 需要掌握設備組裝和拆卸技能，維護設備正常運行，解除設備故障，提高產品良率
Eng'r 及時發現設備故障原因並找到解除故障方法，維護及改造設備提高其性能，提高產品良率
裝備技術Etch 技能職 保養及預防活動；新舊設備的安裝，設置；裝備性能的提升和改善
裝備技術T/F Tech 排除故障；提高機器可運作時間
Eng'r 提高工具可運作時間；降低製造成本；維護改造設備以提高其性能
製造 班長 女性,倒班，有半導體工作經驗1年以上，最好是前道工藝,如光刻（Photo、黃光）、干濕腐蝕（Etch、蝕刻)、擴散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（濺射）、CMP等，有班組長經驗者優先。負責帶班管理區域內操作員工，完成生產任務。
教育擔當 女性,有半導體工作經驗1年以上，最好是前道工藝,如光刻（Photo、黃光）、干濕腐蝕（Etch、蝕刻)、擴散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（濺射）、CMP等，有班組長經驗者，有多種操作證者優先，有半導體作業教育經驗者、懂韓語者優先,能夠倒班。負責新進作業員的教育培訓和作業員的技能訓練的計劃、組織和實施。
資材及HOT 資材，正常班，男女不限，熟悉半導體前道生產用小工夾具，能吃苦，懂英語或韓語，負責凈化間內生產用工夾具，防塵服等管理；HOT ，女，倒班，跟蹤優先批流通並保證進度完成,熟練使用EXCEL軟體。
Operator 女性,倒班，能吃苦，懂簡單的英語和計算機知識，有半導體工作經驗者優先，最好是前道工藝,如光刻（Photo、黃光）、干濕腐蝕（Etch、蝕刻)、擴散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（濺射）、CMP等。負責操作機器，服從分派，完成生產任務。
Part長/先任班長 Part長:正常班，有5英寸以上半導體前道工藝工作經驗5年以上，有生產主管工作經驗或同等管理經驗。熟練使用英語，和辦公軟體，負責區域內各班次生產管理，管理Supervisor和shift leader；shift leader :倒班，負責整條生產線的生產平衡和調配管理，管理supervisor;Supervisor:,倒班，有半導體工作經驗2年以上，最好是前道工藝,如光刻（Photo、黃光）、干濕腐蝕（Etch、蝕刻)、擴散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（濺射）、CMP等，有班組長經驗者優先,負責管理各區域內生產事項，管理班長。
Technician 日常監控、確認，mmy wafer管理，日常小故障的處理
製造企劃 事務職 製造企劃投資管理
采購 部品采購 設備零件需給及維修
原材料采購 原材管理安定化(交貨期管理及請購)
設施采購 輔資材需給及實物管理
總務 福利厚生(食堂) 餐廳管理
接待擔當 來訪人員的行程管理、及計劃管理
接待擔當者 來訪人員具體接待工作的實施
通信/廣播擔當者 通信交換機伺服器，VOICEMAIL， PAGING STSTEM （軟硬體）維護，廣播系統，專業英語流利（聽說讀寫），管理通信Maint，通信Operator和廣播Maint，會管理及評估通信工程．
通信Maint 通信線路維護、檢修及正常運行
通信Ope'r 接線員，內外電話查詢、轉接等
設施維護 廠房基礎設施（地板、照明、水、等）的日常維護及保養
Show-room擔當 展廳的管理，及公司介紹
舍監 宿舍管理
設備Eng'r 空調Part 要求工廠空調設備運維經驗(冰水主機Chiller，中央空氣處理系統，熱鍋爐，泵，風機等) 優先： 凈化間設備運維（ 超凈間空氣處理單元，洗氣塔，過程冷卻用水，超純水）
排管/UT Part 工廠排管設備施工(水系統，壓縮氣體系統，超純水系統)
電氣Part 通過廠內電氣設備的運行管理及維護活動 以及新增,補加電氣設備施工計劃的實施，維持電力供應的穩定性，支援生產活動的圓滿成功
設備Tech 空調Part 機械裝備的點檢及維護.有機械設備的相關知識及經驗.
排管/UT Part 熱輸送網的點檢及維護.有配管設備的相關知識及經驗.
電氣Part 進行電氣機器的點檢,配電機,電氣控制,裝備的運行,電氣設備的安裝,調整,修理 .有電氣的知識
財務會計 成本 成本核算、成本分析、熟悉ERP系統
會計總體業務 提供公司各種報表及數據，並定期提出相關分析報告
國稅/地稅 稅務及出口退稅流程、納稅申報及其相關的會計核算、和稅務相關部門聯系
財務 應收/應付/固定資產 相關業務
資材 化學品管理 原材管理安定化 (交貨期管理及請購）
SPARE PART 設備零件需給及維修
副材料管理 輔資材需給及實物管理
進出口通關 原材料通關 及時、無障礙得完成料件的清關，確保資財的庫存量
設施再通關 Managing the whole progress involved with Local flow of Imported & Exported Goods；1. Clear the imported goods through the customs and CIQ 2. Prearrangement for Import and export
ESH 保健 職員健康檢查, 職業病預防.管理, 運營附屬醫院, 作業環境檢測/改善管理, 促進健康活動，
安全消防 氣體安全管理, 有害危險器材管理, QUAL/安全改善活動, CMS室/建立急救應急小組, 消防設施.危險品管理， MSDS管理, 消防/安全施工管理/監督，災害調查/統計分析
ESH企劃 ESH 確立戰略, ESH 運行經營系統, ESH 教育/公關業務, ESH 投資/預算管理,部門人力企畫/管理，法定許可證總括
ESH技術 凈 · 廢水廠的施工管理/監督，危險物/節約用水，預防環境事故，廢棄物的管理，大氣污染源管理/改善活動，毒性/土壤/噪音管理，環境范圍許可證
IT 程序開發 GW/EMAIL的日常維護管理
OA 運營/PC 保安 PC/Printer/NB等電算設備日常維護及PC保安管理
SAP 開發 SAP二次開發
SAP 運營 SAP維護管理
System 運營 Server維護管理
MI 事務職 班長 監測設備的溫度、壓力等狀況，屬於操作工的一種.
MI Eng'r Engineer 檢測工藝生產過程的顆粒、缺陷；測量厚度，電阻和應力等； 分析工藝上產生該問題的原因； 採取措施及時彌補並解決問題。
Technician 採取措施來維護裝備性能;對設備的精確性和可靠性進行維護。
QC Supervisor 1.支持協助質量工程師執行質量程序和政策 2.報告FAB的質量狀況 3.鑒別檢查的缺陷並在質量報告中做出指示算機操作能力，懂英語或韓語 4.收集缺陷樣品並向相關部門報告 5.協助質量經理監管質量操作工 6.要有良好的溝通能力和計
Operator 職責：1.負責產品檢驗和完成質量紀錄 2. 收集和保存質量檢測數據 3.維護及控制在線的所有檢驗文件及紀錄
要求：1. 由顯微鏡操作經驗 2. 有產品檢驗工作經驗 3. 有凈化室工作經驗者尤佳
企劃 企劃 整體協調公司各部門業務，處理跨部門協作綜合事項；制定公司經營計劃。
對外關系 與政府機關部門建立並維持良好關系，爭取政府機關對公司的各方面協作與支持。
法務 組織各部門合同審查，收集並轉交專業意見；公司合同整理歸檔、保管。
宣傳 收集新聞，部門采訪，設計並製作公司社刊，對外宣傳。
㈦ 半導體物理中 熱缺陷 形成的原理
熱缺陷是由於晶體中的原子(或離子)的熱運動而造成的缺陷,從幾何圖形上看是一種點缺陷,熱缺陷的數量與溫度有關，溫度愈高，造成缺陷的機會愈多。晶體中熱缺陷有2種形態，一是肖脫基(Schotty)缺陷，2是弗侖克爾(Frenkel)缺陷。
1)肖脫基缺陷
由於熱運動，晶體中陽離子及陰離子脫離平衡位置，跑到晶體表面或晶界位置上，構成一層新的界面，而產生陽離子空位及陰離子空位，不過，這些陽離子空位與陰離子空位是符合晶體化學計量比的。如：MgO晶體中，形成Mg2+和O2-空位數相等。而在TiO2中，每形成一個Ti4+離子空位，就形成兩個O2-離子空位。肖脫基缺陷實際產生過程是：由於靠近表面層的離子熱運動到新的晶面後產生空位，然後，內部鄰近的離子再進入這個空位，這樣逐步進行而造成缺陷。
2）弗侖克爾缺陷
弗侖克爾缺陷形成過程為：一種離子脫離平衡位置擠入晶體的間隙位置中去，形成所謂間隙（或稱填隙）離子，而原來位置形成了陽離子或陰離子空位。這種缺陷的特點是間隙離子和空位是成對出現的。弗侖克爾缺陷除與溫度有關外，與晶體本身結構也有很大關系，若晶體中間隙位置較大，則易形成弗侖克爾缺陷。如AgBr比NaCl易形成這種缺陷。
㈧ 國產晶元如何檢測有沒有國產的儀器可用來檢測晶元缺陷的求推薦
無論是國產晶元還是外國的晶元，都有很多種檢測方式，檢測的方面也各有不同，一般是的晶元測試包括：電參數測試，高低溫測試，壓力測試，還有晶元失效分析和晶元外觀缺陷檢測等。矽電半導體的AOI全自動晶粒鏡檢機就是專門為半導體晶元的晶粒級或晶圓級外觀檢測而設計的，採用高性能的視覺處理軟體及高精度的視覺系統，搭配多組數字光源，配備有自動上下片系統，能全自動完成對晶元多種外觀缺陷的精確檢測。可取代傳統的人工目檢檢測方式，高效率。檢測一致性更好。