㈠ 影响半导体表面电势的因素有哪些
透表面电子束激励电势检测仪(简称透表仪)做了测试分析, 从而利用透表面电子束激励电势法到扫描电子显微镜中观测研究覆盖在表面绝缘层下的半导体及其集电电路的缺陷和微结构.该文在上述工作的基础上,进一步利用 一个简化模型,分稳态和瞬态两中情况下,推导出在扫描电子显微镜中,透表面电子吵激励电势U与半导体表面复合速度S所存在的关系,然后在理论基础上,根据 最小二乘法原理,利用计算机得到计算值或实验数据的指数曲线拟合结果,从而通过渐近法找到半导体材
㈡ 半导体缺陷 有哪些表征方法谢谢啦
GaN LED自1995年日本中村先生成功研制以来，近几年其技术以惊人的速度迅猛发展。在可靠性方面，虽然在上、中、下游研发和生产等各个环节中备受重视，但是外延材料对器件可靠性和性能的影响研究，受上游至下游产业学科跨度大的限制，分析实验难度较高；与其他半导体器件一样的有些理念虽为业内人士所知晓，因缺少对应的分析实验和规范的试验方法，故在GaN-LED方面无明确的对应关系。本文通过试验并分析GaN-LED外延片晶体质量对其LED芯片光电参数分布及器件性能的影响，提出较系统的实验方法，验证了LED外延晶体缺陷对器件可靠性的基础作用，为外延材料结构与生长工艺的优化和改善提供依据。
1 试验概述
试验晶片为采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法，在2英寸（50mm）蓝宝石衬底上生长的GaN基LED外延结构[1-2]。外延生长完成后，首先通过高倍金相显微镜检查外延层表面形貌，再用Bede-Q2000双晶X光衍射（DMXRD）仪对选定外延片晶格结构特性进行分析测试。然后采用常规的GaN-LED芯片工艺，将外延片制成330μm×300μm的LED芯片，其典型的外延材料和芯片结构如图1。采用LED-617型光电参数测试仪，进行芯片光电参数测试。用环氧树脂将管芯封装成蘑菇状Φ5mm的LED单灯器件供可靠性试验。LED器件参数采用SPC-4000LED光电参数测试仪测量，ESD试验则采用ETS910静电模拟发生器考核器件抗静电能力，而样品电老化试验则在自己研制的恒流老化仪上进行。
2 外延与芯片检测
在外延片表面外观检查中，选取较为典型的外观作为样片进行跟踪对比分析：外延片样品（Ep1）表面存在明显缺陷（图2），同时在（Ep1）这一炉次中和其他正常炉次中各选取一片表面无明显缺陷样品（Ep2和Ep3），以便跟踪对比分析。
2．1 X射线双晶衍射（XRD）分析
对于外延材料质量的评估，除检查表观特征外，可用X射线双晶衍射方法、光致发光谱（PL）、霍尔效应测试等对外延片晶体质量进行检测。其中X射线双晶衍射方法具有独特的优点，即可以无损伤、准确、制样简单地进行材料检测，可精确地确定晶格结构参数，尤其是晶格应变，特别适合测量外延晶片的结构特性。因此，本文选择了缺陷附近和远离缺陷两类区域，通过测量其双晶回摆曲线，以了解外延层晶格常数的微小差异、晶格扭曲、微小应变、缺陷附近的应力场情况以及晶片的弹性或范性弯曲等特征[3]。图3为Ep1-1缺陷附近的回摆曲线。其中主峰为GaN外延层的（0002）衍射峰，其左右两侧InGaN多量子阱的衍射峰依然清晰，可见双晶回摆曲线是缺陷附近晶格结构参数的整体效果。
详细比较其他区域和其他晶片的双晶回摆曲线，容易观察到GaN（0002）衍射主峰半峰宽的差异，测试结果见表1。缺陷附近半峰宽明显大于远离缺陷区域和正常晶片，晶格失配较正常严重，表明缺陷不只影响观察到如图2所示的1mm大小区域，它将导致其附近区域晶格的畸变。
2．2 芯片光参数分布图
将外延样片按常规的GaN-LED芯片工艺，同批生产制成330μm×300μm的芯片管芯，采用LED-617型光电参数测试仪进行光电参数测试，输出相应参数分布图。其中Ep2、Ep3对应的电致发光（EL）分布未见异常，而样片Ep1的（EL）分布如图4所示。从图4（a）清晰显示，发光强度随离开样片中心区域而减弱，多数不发光区域位于样片边沿；最为显著的不发光区域与样片制成管芯前缺陷区域一致，如图中所标，不发光区域尺度明显大于外延层缺陷的表观尺度，可见外延片中的缺陷将直接导致周边区域管芯的失效。而其他区域管芯波长分布较均匀，如图4（b）所示。由于发光波长取决于外延层中多量子阱宽度和势垒的高度，管芯波长分布的均匀性反应了外延工艺过程的精确性。综合上述两方面的结果，可以认为，外延层的缺陷起始于衬底，如果外延过程未能得到抑制，它造成缺陷及附近外延层所制成的LED芯片丧失发光特性；此外区域虽然失配严重，但芯片光电参数未见异常。
3 可靠性试验结果的验证与分析
按照设定的试验分析比较方案，分别从三片对应外延片中抽取合格芯片样品，进行可靠性分析试验。芯片样品组Cp1-1抽自Ep1-1外观缺陷片缺陷附近区域的参数正常芯片；样品组Cp1-2分别抽自Ep1-2外观缺陷片远离缺陷区域的上下左右四个区域；样品组Cp2和Cp3分别抽自Ep2和Ep3的上下左右四个区域。同时封装成器件后，进行可靠性试验，其中一组进行抗静电能力试验，两组做电老化加速寿命试验。
3．1 对抗静电能力试验的影响[4]
静电放电（ESD）容易引起GaN基发光二极管pn结的击穿，造成器件失效，因此抗静电能力的高低直接体现LED器件可靠性。采用晶体管图示仪作为试验前后的电性能参数测试，ETS910静电模拟发生器对待测样品进行放电，条件为标准人体模型，正反向连续放电3次，间隙为1s，测试结果（表2）表明，当静电电压较低时，所有样品的抗静电能力未见差别，但随着电压的上升，差别明显加大。取自Ep1-1外观缺陷片缺陷附近区域的样品Cp1-1组的抗静电能力最差，而其他三组差别不明显。
在外延材料结构中，InGaN有源层的势阱、势垒的宽度窄，器件ESD失效机理相对复杂[5]，试验结果统计显示，晶体质量较差、失配严重所对应的器件被静电击穿而失效的概率较其他器件要大得多。可见当器件受到静电冲击时，外延结构晶体中的缺陷及其附近晶格畸变严重和位错密度高的薄弱位置将容易被击穿。
3．2 电老化试验[6]
发光二极管的退化主要包括管芯和环氧树脂等缓慢退化。在本文的试验中，环氧树脂退化的影响将尽可能降低。由于GaN基LED可靠性水平的不断提高，其超长的工作寿命，已不可能通过正常应力条件下的寿命试验来验证，故采用两种加速条件进行老化试验：①采用高温恒流的高恒定热电应力加速老化试验，试验条件为正向电流40mA，环境温度60℃，时间96h，其试验结果见表3；②采用高恒定电流应力加速老化试验，试验条件为正向电流30mA，环境温度25℃，时间1008h，结果见表4。光通量退化曲线如图5所示。
试验结果表明，四组样品光输出退化趋势基本相似，体现样品器件的电老化总体综合情况，其之间的差异是由芯片造成的。无论是高温恒流加速老化或者是高恒定电流老化试验，取自Ep1-1外观缺陷片缺陷附近区域的样品Cp1-1组的光衰都最大，因所有样品的封装条件一样，故器件光输出退化速率的差别应为管芯所造成。由于缺陷对载流子具有较强的俘获作用，在有源层中形成无辐射复合中心，使光效降低，而注入载流子的无辐射复合又使能量转化为晶格振动，导致缺陷和位错等造成载流子泄漏和非辐射复合中心的增多，使得器件内量子效率下降速率加快[7]。
㈢ 半导体 怎样减少界面缺陷 钝化
钝化: 1.在半导体表面上生成一层能促进电性能稳定的氧化层,通常将晶体管表面与周围电的和化学的条件相隔离,以减少反向漏电流,提高击穿电压,增加功耗的定额 2.金属经强氧化剂或电化学方法氧化处理,使呈钝状的过程 3.催化剂、血清等活性的破坏。 有一种蛋白质（酶）能够灭火血清活性（部分）称为血清灭活酶或者钝化酶，将这种物质按一定比例加入血清就可以起到钝化作用。另外钝化的方式也有别的，比如温度，低温也可以达到钝化效果（-70摄氏度）等。总之目的都是灭火活性。 提点自己的看法： 1 所谓血清钝化是指血清的稳定化处理，经相应钝化处理后的血清中的某一类物质相对稳定。 2 血清钝化经常用于某些特种蛋白的分析前处理，此时向血清中添加蛋白质水解酶抑制剂（如抑肽酶），从而使血清中待测的特种蛋白不被相应的酶水解。
㈣ 半导体制造业该如何引进六西格玛怎么运用请具体回答谢谢~
一、六西格玛管理的DMAIC流程
对产品缺陷的改进项目，对DMAIC过程改进模式的每一步都进行了具体深入的研究和说明。通过实例充分地验证了DMAIC在实践应用中的可行性和有效性，从而树立起六西格玛管理在制程控制和改进中的威信，同时也为今后的制程改进项目提供了宝贵经验，使六西格玛管理方法能够被更广泛地推广到其他制造领域中去。
二、DMAIC对超微间距产品第一焊点不良率改进的应用
1、界定阶段
随着芯片电路的集成度越来越高，对于半导体封装而言，以前一颗芯片内部只需要焊接十几条线，而现在需要焊接几百条线在同一体积的芯片内，这就意味着单颗焊线面积和焊点间距越来越小，从传统间距80微米的产品到微间距69微米的产品再到如今超微间距47微米的产品。然而任何一颗金线的焊接不良，都将导致整颗芯片的报废。在这种情况下，对于超微间距的产品，第一点焊接质量的要求也就更加有挑战性在解决问题之前，按照DMAIC的流程，首先需要组建一支专业的团队来实施改进项目。
2、测量阶段
首先对测量系统的稳定性进行了分析接下来继续对测量系统的线性和偏倚进行测量，方法与稳定性测量类似。分析结果：偏倚的P值为0.301，即无法拒绝偏倚为0的原假设，测量系统无需修正。
最后对测量系统的重复性和再现性进行了测量分析，分析结果：系统Gage R& R值为1.13%，远小于10% ，分组数NDC为124，远大于5，总体来判断此测量系统是完全符合要求的。
3、分析阶段
①第一焊点不良数据及潜在原因分析经过对测量系统的稳定性、线性和偏倚以及重复性和再现性的分析，可知测量系统可用，数据真实可靠。
②焊接强度不足的原因分析。利用因果图对第一焊点强度不足的原因进行分析，结合改进方向的可行性，最终决定将“焊针尺寸不合理”和“焊线参数不优化”两项作为将来改进的主要方向。
4、改进阶段
①焊针尺寸的改进
在分析阶段确定了此次缺陷改进的重点之后，首先进行了对焊针的尺寸的改进，并通过方差分析进行对比，合理选择了焊针尺寸。
②焊针参数的改进
为了能够更加全面地评估所有关键参数因子，小组设计了一个部分因子实验设计，用于筛选对第一焊点有重要影响的参数，共列出了4个对于第一焊点质量较为相关的因子：USG（超声波），Force（力），C/V（下降速度）,Time（焊线时间），将每组试验取32个BallShear（焊线强度）的均值作为响应变量。每个因子取二水平，并且安排3组中心点用来评估试验误差。
5、控制阶段
焊针尺寸和参数方面的改进之后，经过收集数据阶段，控制线也进行了更新。
使用DMAIC的分析方法对半导体制造业中的超微间距产品系列第一焊点不良问题进行深入的研究，逐一地找出问题的根源之所在，并针对问题的根源进行改进和控制。这进一步证实了六西格玛管理的有效性和权威性，对于那些刚刚起步或将要六西格玛管理的企业来说，六西格玛管理无疑将会成为企业变革的助推器。当然，六西格玛的发展需要企业领导的大力支持，需要各部门的相互合作，需要团队的力量，需要专业的人才，需要企业每一个人的努力。当六西格玛融入企业文化中的时候，企业将迎来质的提高。
㈤ 半导体器件常用的仿真模拟软件有什么 有comsol，还有哪些 以及它们的优缺点或互补。
楼主的提问，就有点带偏别人的感觉，或者，你已经被别人带偏了。
首先，半导体是一门非常专业的学科，半导体器件仿真肯定需要专业的仿真软件，而通用CAE类的软件是无法解决大多数技术细节问题的，comsol， ansys，abaqus,就是通用CAE软件，据我了解前者在低频电磁，电化学，这一块还可以；中者，包含了很多软件，体系庞大却没好好消化，对这个了解的少，不发表意见；后者，材料，结构、岩土用的多；
其次，半导体器件仿真，这行业里站在高处的大牛，还是用TCAD类的软件较多，可以了解下国内主要做半导体的单位，高校、研究所、企业，基本上都是用这些软件，Synopsys的算一个，Crosslight算一个，NEXTNANO算一个，，，，，等等，其实很简单，你把这些软件放在网上一搜别人做的成果就知道哪些软件用的多，出的成果多；
不过，像Synopsys这类自己就做半导体的这类厂家，考虑到知识产权和保密问题，有一定的知识壁垒，所以这类的软件傻贵傻贵。NEXTNANO算是比较学术的一个，很久之前是开源的，现在借助他们的学校和研究所，正在走商业化，毕竟要存活嘛；
如果要学习TCAD软件也不容易啊，运气好的话，可以碰到技术比较过硬，而且还靠谱的厂家或者工程师，还会多帮忙指导指导；如果碰到只顾卖产品，无技术服务，那就惨了，，，，此为后话，一定要擦亮双眼，多做技术沟通和交流。很多技术型的公司非常乐意做技术交流的，双方互相学习共同提高嘛。
国内自己的自主研发的半导体软件，极少啊；国内做大型的工程计算软件，毕竟在前期缺少了知识储备和经验积累，现在别人制裁，就没辙了，哎，扯远了........
㈥ 海力士半导体制造技术员 tech是什么意思做什么工作的
部门 岗位 岗位说明
工程管理
事务职 班长 管理操作工；提高设备生产效率；工程师与操作工之间沟通及命令下达
Eng'r 操作文件的提高说明；减少和解决生产中的事故与问题；改良产品质量，提高良率
工程管理 Opr Operator 操作检查和分析的机器；提高设备的生产效率；报告生产中的事故和问题
工程技术 DIFF Eng'r 估算生产能力；确立/计算投资成本；产品选择/产品评估/质量提高；提高质量指标及生产效率；减少/防止工程事故/工程问题
工程技术 Etch Eng'r 制造半导体工程中Process Set-up；管理装备；提高工程质量；降低成本；提高生产率
工程技术 Photo Eng'r 生产线监控，提高产能，提高良率，编写Scanner, Track, Overlay,CD-SEM的Job File,提高光刻工艺宽容度，解决工艺问题
Tech 管理光刻reticle和光刻胶，向装备输入程序recipe，解决简单工艺问题
工程技术C&C Eng'r 对产品问题和缺陷进行分析，找到产生缺陷原因，并决定消除缺陷和改善产品质量应该采取的措施，以提高产品良率。
工程技术T/F Eng'r 制作产品说明和规格文档；提高工程质量，最优化工程以提高产量
人事 社规管理/福利厚生 为了有效运营人力资源,制定各项制度及改善,并支援福利
人事评价/职务/晋升 员工的人事评价(业绩,能力评价),实施定期晋升, 职责任命
劳务管理/奖惩/苦衷 劳资情报的收集/维护劳资双方的平衡,监督职的任命, 奖励/惩戒的有效运营,提高员工的工作积极性及强化员工的基本遵守
ER Manager 中方人员的人事管理总负责 (劳务管理,奖励,惩戒,评价,出勤,工资等)
教育/评价管理 负责员工入门、技术、在职培训及其他预言培训，树立每年培训计划及预算及进行等
自动化 Eng'r Eng'r Infra System, 软件应用和AMHS系统的开发与性能分析
自动化 Tech Tech Infra System, 软件应用和AMHS系统的维护
装备技术 DIFF Tech TPM活动；提高设备的工作速度；设备安装及重置；贯彻执行FDC以及自动化生产操作体系
Eng'r 确立/计算投资成本；设备安装及重置；提高设备的工作速度；最大化设备的性能和效率
装备技术 Photo Eng'r 管理并维护装备良好状态，管理Spare Part，PM计划安排，编写PM Sheet及技术规范，联系设备制造商并参加trouble分析会议，排除装备故障
Tech 执行周期性PM，常规装备故障排除，更换Spare Part，记录PM sheet
装备技术C&C 技能职 需要掌握设备组装和拆卸技能，维护设备正常运行，解除设备故障，提高产品良率
Eng'r 及时发现设备故障原因并找到解除故障方法，维护及改造设备提高其性能，提高产品良率
装备技术Etch 技能职 保养及预防活动；新旧设备的安装，设置；装备性能的提升和改善
装备技术T/F Tech 排除故障；提高机器可运作时间
Eng'r 提高工具可运作时间；降低制造成本；维护改造设备以提高其性能
制造 班长 女性,倒班，有半导体工作经验1年以上，最好是前道工艺,如光刻（Photo、黄光）、干湿腐蚀（Etch、蚀刻)、扩散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（溅射）、CMP等，有班组长经验者优先。负责带班管理区域内操作员工，完成生产任务。
教育担当 女性,有半导体工作经验1年以上，最好是前道工艺,如光刻（Photo、黄光）、干湿腐蚀（Etch、蚀刻)、扩散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（溅射）、CMP等，有班组长经验者，有多种操作证者优先，有半导体作业教育经验者、懂韩语者优先,能够倒班。负责新进作业员的教育培训和作业员的技能训练的计划、组织和实施。
资材及HOT 资材，正常班，男女不限，熟悉半导体前道生产用小工夹具，能吃苦，懂英语或韩语，负责净化间内生产用工夹具，防尘服等管理；HOT ，女，倒班，跟踪优先批流通并保证进度完成,熟练使用EXCEL软件。
Operator 女性,倒班，能吃苦，懂简单的英语和计算机知识，有半导体工作经验者优先，最好是前道工艺,如光刻（Photo、黄光）、干湿腐蚀（Etch、蚀刻)、扩散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（溅射）、CMP等。负责操作机器，服从分派，完成生产任务。
Part长/先任班长 Part长:正常班，有5英寸以上半导体前道工艺工作经验5年以上，有生产主管工作经验或同等管理经验。熟练使用英语，和办公软件，负责区域内各班次生产管理，管理Supervisor和shift leader；shift leader :倒班，负责整条生产线的生产平衡和调配管理，管理supervisor;Supervisor:,倒班，有半导体工作经验2年以上，最好是前道工艺,如光刻（Photo、黄光）、干湿腐蚀（Etch、蚀刻)、扩散（Diffusion)、注入（IMP）、CVD，PVD（溅射）、CMP等，有班组长经验者优先,负责管理各区域内生产事项，管理班长。
Technician 日常监控、确认，mmy wafer管理，日常小故障的处理
制造企划 事务职 制造企划投资管理
采购 部品采购 设备零件需给及维修
原材料采购 原材管理安定化(交货期管理及请购)
设施采购 辅资材需给及实物管理
总务 福利厚生(食堂) 餐厅管理
接待担当 来访人员的行程管理、及计划管理
接待担当者 来访人员具体接待工作的实施
通信/广播担当者 通信交换机服务器，VOICEMAIL， PAGING STSTEM （软硬件）维护，广播系统，专业英语流利（听说读写），管理通信Maint，通信Operator和广播Maint，会管理及评估通信工程．
通信Maint 通信线路维护、检修及正常运行
通信Ope'r 接线员，内外电话查询、转接等
设施维护 厂房基础设施（地板、照明、水、等）的日常维护及保养
Show-room担当 展厅的管理，及公司介绍
舍监 宿舍管理
设备Eng'r 空调Part 要求工厂空调设备运维经验(冰水主机Chiller，中央空气处理系统，热锅炉，泵，风机等) 优先： 净化间设备运维（ 超净间空气处理单元，洗气塔，过程冷却用水，超纯水）
排管/UT Part 工厂排管设备施工(水系统，压缩气体系统，超纯水系统)
电气Part 通过厂内电气设备的运行管理及维护活动 以及新增,补加电气设备施工计划的实施，维持电力供应的稳定性，支援生产活动的圆满成功
设备Tech 空调Part 机械装备的点检及维护.有机械设备的相关知识及经验.
排管/UT Part 热输送网的点检及维护.有配管设备的相关知识及经验.
电气Part 进行电气机器的点检,配电机,电气控制,装备的运行,电气设备的安装,调整,修理 .有电气的知识
财务会计 成本 成本核算、成本分析、熟悉ERP系统
会计总体业务 提供公司各种报表及数据，并定期提出相关分析报告
国税/地税 税务及出口退税流程、纳税申报及其相关的会计核算、和税务相关部门联系
财务 应收/应付/固定资产 相关业务
资材 化学品管理 原材管理安定化 (交货期管理及请购）
SPARE PART 设备零件需给及维修
副材料管理 辅资材需给及实物管理
进出口通关 原材料通关 及时、无障碍得完成料件的清关，确保资财的库存量
设施再通关 Managing the whole progress involved with Local flow of Imported & Exported Goods；1. Clear the imported goods through the customs and CIQ 2. Prearrangement for Import and export
ESH 保健 职员健康检查, 职业病预防.管理, 运营附属医院, 作业环境检测/改善管理, 促进健康活动，
安全消防 气体安全管理, 有害危险器材管理, QUAL/安全改善活动, CMS室/建立急救应急小组, 消防设施.危险品管理， MSDS管理, 消防/安全施工管理/监督，灾害调查/统计分析
ESH企划 ESH 确立战略, ESH 运行经营系统, ESH 教育/公关业务, ESH 投资/预算管理,部门人力企画/管理，法定许可证总括
ESH技术 净 · 废水厂的施工管理/监督，危险物/节约用水，预防环境事故，废弃物的管理，大气污染源管理/改善活动，毒性/土壤/噪音管理，环境范围许可证
IT 程序开发 GW/EMAIL的日常维护管理
OA 运营/PC 保安 PC/Printer/NB等电算设备日常维护及PC保安管理
SAP 开发 SAP二次开发
SAP 运营 SAP维护管理
System 运营 Server维护管理
MI 事务职 班长 监测设备的温度、压力等状况，属于操作工的一种.
MI Eng'r Engineer 检测工艺生产过程的颗粒、缺陷；测量厚度，电阻和应力等； 分析工艺上产生该问题的原因； 采取措施及时弥补并解决问题。
Technician 采取措施来维护装备性能;对设备的精确性和可靠性进行维护。
QC Supervisor 1.支持协助质量工程师执行质量程序和政策 2.报告FAB的质量状况 3.鉴别检查的缺陷并在质量报告中做出指示算机操作能力，懂英语或韩语 4.收集缺陷样品并向相关部门报告 5.协助质量经理监管质量操作工 6.要有良好的沟通能力和计
Operator 职责：1.负责产品检验和完成质量纪录 2. 收集和保存质量检测数据 3.维护及控制在线的所有检验文件及纪录
要求：1. 由显微镜操作经验 2. 有产品检验工作经验 3. 有净化室工作经验者尤佳
企划 企划 整体协调公司各部门业务，处理跨部门协作综合事项；制定公司经营计划。
对外关系 与政府机关部门建立并维持良好关系，争取政府机关对公司的各方面协作与支持。
法务 组织各部门合同审查，收集并转交专业意见；公司合同整理归档、保管。
宣传 收集新闻，部门采访，设计并制作公司社刊，对外宣传。
㈦ 半导体物理中 热缺陷 形成的原理
热缺陷是由于晶体中的原子(或离子)的热运动而造成的缺陷,从几何图形上看是一种点缺陷,热缺陷的数量与温度有关，温度愈高，造成缺陷的机会愈多。晶体中热缺陷有2种形态，一是肖脱基(Schotty)缺陷，2是弗仑克尔(Frenkel)缺陷。
1)肖脱基缺陷
由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。而在TiO2中，每形成一个Ti4+离子空位，就形成两个O2-离子空位。肖脱基缺陷实际产生过程是：由于靠近表面层的离子热运动到新的晶面后产生空位，然后，内部邻近的离子再进入这个空位，这样逐步进行而造成缺陷。
2）弗仑克尔缺陷
弗仑克尔缺陷形成过程为：一种离子脱离平衡位置挤入晶体的间隙位置中去，形成所谓间隙（或称填隙）离子，而原来位置形成了阳离子或阴离子空位。这种缺陷的特点是间隙离子和空位是成对出现的。弗仑克尔缺陷除与温度有关外，与晶体本身结构也有很大关系，若晶体中间隙位置较大，则易形成弗仑克尔缺陷。如AgBr比NaCl易形成这种缺陷。
㈧ 国产芯片如何检测有没有国产的仪器可用来检测芯片缺陷的求推荐
无论是国产芯片还是外国的芯片，都有很多种检测方式，检测的方面也各有不同，一般是的芯片测试包括：电参数测试，高低温测试，压力测试，还有芯片失效分析和芯片外观缺陷检测等。矽电半导体的AOI全自动晶粒镜检机就是专门为半导体芯片的晶粒级或晶圆级外观检测而设计的，采用高性能的视觉处理软件及高精度的视觉系统，搭配多组数字光源，配备有自动上下片系统，能全自动完成对芯片多种外观缺陷的精确检测。可取代传统的人工目检检测方式，高效率。检测一致性更好。